썽심리뷰

0918 TOOL : OrCAD 사용 OP_AMP TI사의 RC4558 문제 : 아래 Inverting_Amp회로가 100배의 진폭비를 갖을 수 있는 Inverting_Amp회로를 새롭게 만드시오. SPEC OP_AMP : RC4558(TI) Vsin VI = 10mV FREQ = 40kHz Power Supply : VCC = 12V / VCC2 = 6V / VEE = -12V [Inverting_Amp_Circuit] [Simulation 결과] 진폭비 10배가 되는 것을 확인할 수 있다. [100배의 증폭비를 갖는 회로] [R3 R6] [10k 10k] 대략 100배의 진폭비를 갖는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 여기서 의문점이 드는것이 한가지 있다. R3와 R6의 값을 10k 10k이 아닌 25..

설계공부/전자회로 2023. 9. 18. 18:22

0918 TOOL : OrCAD 1. 아래 회로는 over current detector 이다. 이 회로의 출력신호는 0~12V 사이로 스 위칭하게 된다. 이 신호를 MCU의 입력에 인가해야 한다. MCU의 input dynamic range는 0~5V이다. 이를 해결하기 위한 회로를 설계 하시오. 돈을 더 아껴서 설계 해보자. 여기서 저항을 더 줄여보자. 추가되는 저항을 1개로 줄이고, 5V가 나오도록 비율을 설정하였다 [SIMULATION 결과] 2. 아래 spec을 만족하는 시스템을 설계하시오.  어떤 infotainment system의 리모콘에 사용되는 IR 센서 신호처리회로의 출력단은 정상 동작 시, 0~5V의 출력전압이 나온다. 이 출력전압은 ADC의 입력단으로 들어가게 되는 데, ADC의..

설계공부/전자회로 2023. 9. 18. 14:42

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Trnasistor) Field Effect Trnasistor(전계 효과)를 가진 전자회로다. MOSFET의 종류 Depletion Mode MOSFET(n-channel구조) 전류의 흐름을 제어하는 채널을 미리 만들어 놓고 전류가 흐르는 경로를 줄여 가도록 한 제어구조 Drain(D)과 Source(S) 핀은 n-node에 연결 두 개의 n-node영역은 n-channel을 통해 구성 n-doped 물질은 SS(Substrate, Body) 터미널과 연결된 p-doped subtrate에 올려져 있는 구조 // D-S 사이 n-channel이 형성되어 있어 VGS에 별도의 바이어스가 없어도 전류가 흐를 수 있음 Enha..

설계공부/전자회로 2023. 9. 14. 19:16

BJT 기반 inverter 저항은 1개 / LED는 병렬로 두어 회로설계를 진행했다. LED가 모두 똑같은 LED이기 때문에 저항을 각각 달아주는 것이 아닌, 1개를 사용하여 각각 분배해주도록 하였다. 여기서 문제가 생기는데 혹여 LED를 다르게 사용하게 된다면, 각각의 필요한 전압이 다르기 때문에 밝기 차이가 날 수 있다. 따라서 각각 LED에 7404를 회로설계 하여 Simulation을 해봤다. Simulation 결과 입력 : high 출력 : low --INVERTER 7405를 회로설계 하여 Simulation을 해봤다. Simulation 결과 입력 : high 출력 : low 결과가 나오지만 high impedence 값이 나온다. 따라서 DataSheet를 참조하여 그 이유를 확인해보았..

설계공부/전자회로 2023. 9. 14. 13:42

SPEC에 따른 LED설계 및 해설 DataSheet 참조 : https://www.rohm.co.kr/ 로옴 주식회사 - ROHM Semiconductor 어플리케이션 노트와 디자인 모델 어플리케이션 노트 및 유저 가이드 등의 기술 자료, SPICE 모델 및 IBIS 모델 등의 디자인 모델을 구비하고 있습니다. 리스트 www.rohm.co.kr VCE.Sat 값은 따라서 0.12 이며, VF 값은 2.9로 두었다. 식에 대입 하면 대략 1.876kΩ으로 표준 저항 표를 참고하면 1.8kΩ을 주면 될 것 같다. 표준 저항을 사용하는 이유는 실제로 만들어질 때 이 저항값 위주로 만들어지고 새롭게 만들게 된다면 생산과정에서 까다롭기 때문이다. SPEC대로 LED는 SMLE13WBC8W1 (Rohm) 제어 D..

설계공부/전자회로 2023. 9. 14. 11:56

0913 회로 잔상제거 : F5 시뮬레이션 잔상제거 : ctrl + L 출처 : https://www.futurlec.com/74/IC7432.shtml 쓰는 이유 7432 chip과 비교했을때 Diode Logic을 쓰면 필요부분만 사용가능하여 가격과 / 크기를 줄일 수 있다. uni-derection power line bi-derection signal line High Z(하이 임피던스 회로) 해당 회로에서 입력단에서 Floating 되었을 때 PUL DOWN 저항은 BASE 저항보다 같거나 크게 만들어줘야하며, 제한적인 크기는 수백옴까지 PUL DOWN은 47k에서 정상동작 되지만, 더 높다면 소모전력을 줄일 수 있다 / BUT 다 다른 저항을 쓰게 되면 생산시 단가가 올라 갈 수 있다. [SP..

설계공부/전자회로 2023. 9. 13. 11:59

0912 1. Rectification Circuits 신호처리 회로에서의 다이오드 대체적으로 마진 값은 30% 파워 회로에서의 다이오드 대체적으로 마진 값은 50%를 주어야 한다. 따라서 회로를 통해 대략 658 값이 나왔고 이보다 크거나 같은 값을 지닌 PANJIT사의 Diode 데이터 시트와 비교했을때 4007 Diode를 써야한다는 결론이 나왔다 . 2_1 Relay Sunbber Circuit 0V에서 moter on 12V에서 moter off 중간에 파형이 일정하지 않고 V가 튀는 이유는 sw가 off일때 전류가 흐르면서 인덕터에 유지하려고 충전 되었다가 sw가 on되면 스위치는 무한대 저항이므로 갑자기 많은 전류가 흐르게 된다. 2_2 Motor Sunbber Circuit 중간에 돌입전류..

설계공부/전자회로 2023. 9. 12. 13:03

0911 RLC단위 소자 특성 BEADS L//C 공진영역에서의 저항 특성을 이용하여 NOISE를 태워 없앴다 Cap의 상위버전이다. MLCC 실제 회로도와의 비교 https://product.tdk.com/ TDK Product Center TDK Product Center is a product information site of TDK Group (TDK, EPCOS, InvenSense, Micronas, Tronics, TDK-Lambda). product.tdk.com MLCC의 Data Sheet는 TDK의 제품과 홈페이지를 참조하였습니다. MLCC SPEC 해당 회로에서 Vdc 전압원으로 사용하지 않은 이유는 Orcad에서 임피던스를 직접적으로 값을 인가해주거나, 측정하는 단자가 없기 때문..

설계공부/전자회로 2023. 9. 11. 13:44